Un transistor de unión bipolar consiste en un colector, emisor y la base. Un gran porcentaje de la corriente entra en el terminal del colector, pasa a través de la región de base y las salidas desde el emisor. Un porcentaje más pequeño de la corriente entra en la región de base y sale a través del emisor. Los colectores corriente aumenta ligeramente con un aumento de la tensión. Esta ligera dependencia de la tensión de colector de corriente de colector se llama el "efecto temprano." La tensión temprana es la distancia entre un punto elegido en la curva característica IV y la intersección de su tangente y el eje horizontal.
Nivel de dificultad: Moderado
Instrucciones
1 Determine la carga portadores mayoritarios en la base o "Qb" utilizando la fórmula: Qb = q * Ac * Nb * wb donde "wb" es la anchura de la base casi neutral, "Ac" es el área del colector, "NB" es el dopaje base y "q" es la magnitud de la carga eléctrica del electrón. Dopaje introduce electrones o agujeros en la red cristalina de silicio que a su vez introduce la carga móvil. Un aumento en los niveles de dopaje aumenta la conductividad. Un ancho de base más estrecha indica un gradiente de carga más grande y un aumento en la corriente de colector.
2 Divida el valor obtenido para "Qb" con la capacitancia colector base para obtener el valor de "Va" o la tensión temprana mediante la fórmula: Va = Qb / Cj, bc. "Cj, bc" es la unión capacitancia colector base. Voltaje Early oscila entre 15 y 150 voltios dependiendo del tipo de dispositivo.
3 Mida la distancia entre un punto en el -V I (corriente de colector) (tensión de colector-emisor) curva característica y la intersección de su tangente con el eje horizontal para calcular gráficamente el valor de voltaje Early.